半导体行业正面对着擢升预备才略、减小芯片尺寸和镌汰功耗的三重挑战。为了吹法螺这些需求，科学家们必须卓绝传统硅材料，寻找顺应不休增长的预备需求的材料。
奥门新葡京网址尽管在不久的将来，咱们不太可能透彻废弃硅，但期间限度需要在芯片材料和架构上进行立异，以坐褥顺应日益增长的预备需求真是立。
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硅的一个主要限制是其三维性质，它限制了芯片的尺寸和功耗。为了冲破这个限制，科学家们一直在寻找二维半导体，即尽头薄的材料，不错提供更精准的电流限度并减少动力耗尽。
门将：科贝尔（多特蒙德）、奥姆林（门兴）、索默（拜仁）
皇冠信用盘网址然而，直到最近，制造这些材料都遭受了艰苦。某些二维半导体需要极高的温度才调制备，这可能会损坏底层的硅芯片。其他二维材料可能不错在硅友好的温度下制备，但它们的电子性能不及。还有一些相宜温度和性能的条目，但无法在工业模范尺寸下孕育到富饶的纯度。
菠菜注册送平台当今，宾夕法尼亚大学的接头东谈主员也曾生效地将高性能的二维半导体发展成工业圭臬的晶圆。何况，这种半导体材料硒化铟（InSe）不错在富饶低的温度下与硅芯片集成。
这项接头是由电气与系统工程系（ESE）副教师兼Peter and Susanne Armstrong隆起学者Deep Jariwala和ESE博士后Seunguk Song提醒的，该接头最近发表在《Matter》杂志上。
皇冠每位新用户提供丰厚注册礼包，您更好地体验博彩乐趣。这一冲破的枢纽在于奈何克服InSe原子结构的复杂性。长期以来，InSe被以为是先进预备芯片的有但愿的材料，因为它或者很好地传导电荷。但坐褥富饶大面积的InSe薄膜一直是一项挑战，因为铟和硒的化学性质使它们倾向于以不同的分子比例相接，从而挫伤其纯度。
接头团队使用了一种称为“垂直金属有机化学气相千里积”（MOCVD）的生万古间，以罢了高纯度的InSe。与昔时的门径不同，该期间通过麇集髻送铟并脉冲引入硒，以确保元素比例保捏在精准的50:50。这种门径有用地幸免了不良化学结构的酿成。
除了高纯度，该团队还或者限度和对王人材料中晶体的处所，从而擢升半导体的质料。
这一冲破将有望鼓励半导体行业迈向新的高度，为将来的预备确立带来更多可能性。